FQP10N60C, FQPF10N60C
标准包装:50
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):730 毫欧 @ 4.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2040pF @ 25V
功率 - 值:50W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220
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